C712L tristör güç kontrolörü KT55CT

$801-99 Piece/Pieces

$40≥100Piece/Pieces

Ödeme şekli:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Min. sipariş:	1 Piece/Pieces
Ulaşım:	Ocean,Air
Liman:	Shanghai

Şimdi başvurun

Ürün Açıklaması

Ürün özellikleri

Ürün Açıklaması

Ürün özellikleri

model numarası.: YZPST-C712L

Marka: YZPST

私域 C712L 截取视频 15 秒 1-2.1 MB



Ürün Açıklaması

İNVERTÖR VE CHOPPER UYGULAMALARI İÇİN YÜKSEK GÜÇLİ TIRİSTÖR

YZPST-C712L

Özellikleri:

. Tüm Dağınık Yapı

. Merkez Yükseltici Kapı Konfigürasyonu

. 2100 volta kadar engelleme kapasitesi

. Garantili Maksimum Kapanma Süresi

. Yüksek dV / dt Kapasitesi

. Basınç Montajlı Cihaz

Engelleme - Durum Dışı

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
2000	2000	2100

V _RRM = Tekrarlayan tepe ters voltajı

V _DRM = Tekrarlayan tepe kapalı durum gerilimi

V _RSM = Tekrar etmeyen tepe ters voltajı (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

90 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

800 V/msec

Notlar:

Tüm puanlar Tj = 25 ^o C için belirtilmedikçe

aksi belirtilmedikçe.

(1) Uygulanan tüm voltaj değerleri

50Hz / 60zHz sinüzoidal dalga formu

sıcaklık aralığı -40 ila +125 ^o C

(2) 10 milisaniye. mak. Darbe genişliği

(3) Tj = 125 ^o C için maksimum değer.

(4) Doğrusal ve üstel için minimum değer

% 80 anma V _DRM için dalga şekli. Kapı açık.

^O C tj = 125

(5) Tekrarlanmayan değer.

(6) di / dt değeri uygun olarak belirlenir

EIA / NIMA Standart RS-397 ile, Bölüm

5-2-2-6. Tanımlanan değer ilave

bir saptırma devresinden elde edilene göre,

0.2 mF kapasitör ve 20 ohm içeren

altında tristöre paralel direnç

Ölçek.

İletkenlik durumu

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		1185		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=80^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		1700		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 18500		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.66x10⁶		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		-		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.45		V	I_TM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; T_j =1 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

öğrencinin okuldan çıkarılmaması

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		100		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 120 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		20		V

Dinamik

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		-	0.7	ms	I_TM = 50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		40	-	ms	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*		mC	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V

HERMAL VE MEKANİK ÖZELLİKLER VE DERECELER

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+125		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		0.023 -		^oC/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		0.0075 -		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	22.2	26.6		kN
Weight	W			-	g	About