Faz Kontrolü için Promosyonlu Yüksek Güçlü Tristör

Faz Kontrolü için Promosyonlu Yüksek Güçlü Tristör

Son Fiyat alın

Ödeme şekli:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Ulaşım:	Ocean,Air
Liman:	Shanghai

Şimdi başvurun

Ürün Açıklaması

Ürün özellikleri

Ürün Açıklaması

Ürün özellikleri

model numarası.: YZPST-R219CH12FN0

Marka: YZPST

Ürün Açıklaması

Faz Kontrolü için Yüksek Güçlü Tristör

YZPST-R219CH12FN0

Özellikleri:

Garantili Maksimum Kapanma Süresi

. Tüm Dağınık Yapı

. Basınç Montajlı Cihaz

Ayrıştırılmış Kuvvetlendirme Kapısı Yapılandırması

. Yüksek dV / dt Kapasitesi

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER VE DERECELER

Engelleme - Durum Dışı

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
1200	1200	1300

V _RRM = Tekrarlayan tepe ters voltajı

V _DRM = Tekrarlayan tepe kapalı durum gerilimi

V _RSM = Tekrar etmeyen tepe ters voltajı (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Notlar:

Aksi belirtilmedikçe tüm derecelendirmeler Tj = 25 ^o C için belirtilmiştir.

(1) Uygulanan tüm voltaj değerleri

50Hz / 60zHz sinüzoidal dalga formu

sıcaklık aralığı -40 ila +125 ^o C

(2) 10 milisaniye. mak. Darbe genişliği

(3) Tj = 125 ^o C için maksimum değer.

(4) V _DRM alan% 80 lineer ve üstel dalga şekli için en düşük değer. Kapı açık. ^O C tj = 125

(5) Tekrarlanmayan değer.

(6) di / dt değeri uygun olarak belirlenir EIA / NIMA Standard RS-397, Bölüm 5-2-2-6 ile. Tanımlanan değer, ubber devresinden elde edilen değere ek olarak, test edilen tristöre paralel olarak 0.2 m F kapasitör ve 20 ohm direnç içerir.

İletkenlik durumu

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		929		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1893		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 9.0		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		405x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.04		V	I_TM = 1400 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		1500		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		1000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

öğrencinin okuldan çıkarılmaması

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		2		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

Dinamik

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	-	10	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=60A/us, V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us